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NCV8403, NCV8403A
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
10
T Jstart = 25 ° C
T Jstart = 150 ° C
1000
T Jstart = 25 ° C
T Jstart = 150 ° C
1
10
100
100
10
100
100
L (mH)
Figure 2. Single Pulse Maximum Switch ? off
Current vs. Load Inductance
1000
L (mH)
Figure 3. Single ? Pulse Maximum Switching
Energy vs. Load Inductance
T Jstart = 25 ° C
10
T Jstart = 25 ° C
T Jstart = 150 ° C
T Jstart = 150 ° C
1
1
10
100
1
10
TIME IN CLAMP (ms)
Figure 4. Single Pulse Maximum Inductive
Switch ? off Current vs. Time in Clamp
TIME IN CLAMP (ms)
Figure 5. Single ? Pulse Maximum Inductive
Switching Energy vs. Time in Clamp
25
6V
7V
8V
9V
20
V DS = 10 V
? 40 ° C
20
10 V
15
25 ° C
15
10
5
T a = 25 ° C
5V
4V
3V
V GS = 2.5 V
10
5
100 ° C
150 ° C
0
0
1
2
3
4
5
0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V DS (V)
Figure 6. On ? state Output Characteristics
http://onsemi.com
4
V GS (V)
Figure 7. Transfer Characteristics
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相关PDF资料
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相关代理商/技术参数
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NCV8403STT1G 功能描述:MOSFET NCV8403 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NCV8403STT3G 功能描述:MOSFET NCV8403 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NCV8405 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Self-Protected Low Side Driver with Temperature and Current Limit
NCV8405A 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Self-Protected Low Side Driver with Temperature and Current Limit
NCV8405ADTRKG 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NCV8405ASTT1G 功能描述:MOSFET SELF PROTECTED LOW SIDE F RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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